תוֹכֶן

• טבלת השוואה
• הגדרת SRAM
• עבודה של SRAM לתא בודד:
• הגדרת DRAM
• עבודה של תא DRAM טיפוסי:
• סיכום

SRAM ו- DRAM הם המצבים של זיכרון RAM משולב שם SRAM משתמש בטרנזיסטורים ותפסים בבנייה ואילו DRAM משתמש בקבלים וטרנזיסטורים. ניתן להבדיל בין אלה בדרכים רבות, כמו ש- SRAM מהיר יחסית ל- DRAM; מכאן שמשמש SRAM לזיכרון מטמון ואילו DRAM משמש לזיכרון הראשי.

זיכרון RAM (זיכרון גישה אקראית) הוא סוג של זיכרון הזקוק לחשמל קבוע בכדי לשמור את הנתונים בתוכו, ברגע שאספקת החשמל תושבש הנתונים יאבדו, זו הסיבה שזה ידוע כ זיכרון נדיף. קריאה וכתיבה ב- RAM היא קלה ומהירה ומבוצעת באמצעות אותות חשמליים.

1. טבלת השוואה
2. הגדרה
3. הבדלים עיקריים
4. סיכום

טבלת השוואה

בסיס להשוואה	SRAM	DRAM
מהירות	מהר יותר	איטי יותר
גודל	קטן	גדול
עלות	יקר	זול
משמש ב	זיכרון מטמון	זיכרון ראשי
צפיפות	פחות צפוף	צפוף מאוד
בנייה	מורכב ומשתמש בטרנזיסטורים ותפסים.	פשוט ומשתמש בקבלים ומעט מאוד טרנזיסטורים.
דרוש חסימת זיכרון יחידה	6 טרנזיסטורים	רק טרנזיסטור אחד.
רכוש דליפת חיוב	אינו נוכח	הווה ומכאן דורשים מעגלי רענון כוח
צריכת חשמל	נמוך	גבוה

הגדרת SRAM

SRAM (זיכרון גישה אקראית סטטית) מיוצר מ טכנולוגיית CMOS ומשתמש בשישה טרנזיסטורים. בנייתו מורכבת משני ממירים צולבים צולבים לאחסון נתונים (בינאריים) הדומים לכפכפים ושני טרנזיסטורים נוספים לבקרת גישה. זה מהיר יחסית לסוגי RAM אחרים כמו DRAM. היא צורכת פחות כוח. SRAM יכול להחזיק את הנתונים כל עוד אספקת החשמל אליו.

עבודה של SRAM לתא בודד:

כדי ליצור מצב היגיון יציב, ארבע טרנזיסטורים (T1, T2, T3, T4) מאורגנים באופן מחובר לחוצה. ליצירת מצב לוגיקה 1, צומתC1 הוא גבוה, ו C2 נמוך; במדינה הזאת, T1 ו T4 כבויים, ו T2 ו T3 על. עבור מצב היגיון 0, צומת C1 הוא נמוך, ו C2 גבוה; במצב הנתון T1 ו T4 נמצאים על, ו T2 ו T3 כבויים. שתי המצבים יציבים עד להחלת מתח הזרם הישיר (dc).

ה- SRAM כתובת מופעל לפתיחה וסגירה של המתג ובקרת טרנזיסטורי T5 ו- T6 המאפשרים קריאה וכתיבה. לצורך פעולת קריאה האות מוחל על קו כתובת אלה ואז T5 ו- T6 נדלקים, וערך הסיביות נקרא משורה B. לפעולת הכתיבה, האות מופעל ל- B קו קצת, והשלמה שלה מיושמת על B '.

הגדרת DRAM

DRAM (זיכרון גישה דינמית אקראית) הוא גם סוג של זיכרון RAM אשר נבנה באמצעות קבלים ומעט טרנזיסטורים. הקבל משמש לאחסון הנתונים שבהם ערך הסיביות 1 מסמל כי הקבל טעון וערך סיביות 0 פירושו כי הקבל משוחרר. קבלים נוטים לפרוק, וכתוצאה מכך דליפת מטענים.

המונח הדינמי מצביע על כך שהמטענים דולפים ללא הפסקה גם בנוכחות כוח המסופק ברציפות וזו הסיבה שהיא צורכת יותר חשמל. כדי לשמור נתונים במשך זמן רב, יש לרענן שוב ושוב מה שמצריך מעגלי רענון נוספים. עקב טעינה דולפת, DRAM מאבד נתונים גם אם הכוח מופעל. DRAM זמין בכמות הקיבולת הגבוהה יותר והוא פחות יקר. זה זקוק לטרנזיסטור בודד רק עבור גוש הזיכרון היחיד.

עבודה של תא DRAM טיפוסי:

בזמן הקריאה וכתיבת ערך הסיביות מהתא, מופעלת שורת הכתובת. הטרנזיסטור שנמצא במעגלים מתנהג כמתג שהוא סגור (מאפשר זרם לזרום) אם מתח מוחל על קו הכתובת ו- פתוח (אין זרם) אם לא מופעל מתח על קו הכתובת. לצורך פעולת הכתיבה מופעל אות מתח לקו הסיביות בו מתח גבוה מציג 1, ומתח נמוך מציין 0. לאחר מכן משמש אות לקו הכתובת המאפשר העברת המטען לקבל.

כשבוחרים את שורת הכתובת לביצוע פעולת קריאה, הטרנזיסטור נדלק והמטען המאוחסן על הקבל מועבר לקו סיביות ולמגבר תחושה.

מגבר החוש מציין אם התא מכיל היגיון 1 או היגיון 2 על ידי השוואת מתח הקבל לערך הפניה. קריאת התא מביאה לפריקה של הקבל, אותו יש לשחזר להשלמת הפעולה. למרות ש- DRAM הוא בעצם מכשיר אנלוגי ומשמש לאחסון הסיבית היחידה (כלומר 0,1).

1. SRAM הוא על השבב זיכרון שזמן הגישה שלו קטן בעוד DRAM הוא מחוץ לשבב זיכרון שיש לו זמן גישה גדול. לכן SRAM מהיר יותר מ- DRAM.
2. DRAM זמין ב יותר גדול קיבולת אחסון כאשר SRAM הוא קטן יותר גודל.
3. SRAM הוא יקר ואילו DRAM הוא זול.
4. ה זיכרון מטמון הוא יישום של SRAM. לעומת זאת, DRAM משמש ב זיכרון ראשי.
5. DRAM הוא צפוף מאוד. לעומת זאת, SRAM הוא נדיר יותר.
6. בניית SRAM היא מורכב עקב שימוש במספר רב של טרנזיסטורים. להפך, DRAM כן פשוט לתכנן וליישם.
7. ב- SRAM דרוש בלוק זיכרון יחיד שש טרנזיסטורים ואילו DRAM זקוק לטרנזיסטור אחד בלבד לבלוק זיכרון יחיד.
8. DRAM נקרא דינמי מכיוון שהוא משתמש בקבל המייצר זרם דליפה בגלל הדיאלקטרי המשמש בתוך הקבל להפרדת הלוחות המוליכים אינו מבודד מושלם ולכן דורשים מעגלי רענון כוח. מצד שני, אין שום סוג של דליפת מטען ב- SRAM.
9. צריכת החשמל גבוהה יותר ב- DRAM לעומת SRAM. SRAM פועל על העיקרון של שינוי כיוון הזרם דרך מתגים ואילו DRAM עובד על החזקת המטענים.

סיכום

DRAM הוא צאצא של SRAM. DRAM נועד להתגבר על החסרונות של SRAM; מעצבים צמצמו את רכיבי הזיכרון המשמשים בזיכרון אחד שהפחית משמעותית את עלות ה- DRAM והגדילו את שטח האחסון. עם זאת, DRAM איטי וצורך יותר כוח מ- SRAM, יש לרענן אותו לעתים קרובות בכמה אלפיות השנייה כדי לשמור על המטענים.